Elektronenstrahlverdampfer

Für die Erstellung von Schichten oder Dünnschichten auf einem Substrat wird Materialdampf benötigt. Beim thermischen Verdampfen wird das Material bis zum Siedepunkt erhitzt. Es bildet sich ein Materialdampf, der auf das Substrat gelenkt wird und dort durch Kondensation eine Schicht bildet. Der Vorgang findet im Hochvakuum statt, typisch bei 10-6hPa.

Für dieses Verfahren bieten wir Typ VB an, der mittels Widerstandsheizung Materialtiegel zum Schmelzen des Materials erhitzt. Die Tiegel können aus Tantal oder Wolfram hergestellt werden. Mehrere Tiegel befinden sich in einer Kammer und sind durch Schilde voneinander getrennt. Die Elektrode ist wassergekühlt. Verwendung in UHV.

Typ VS ist ein Strahlungswärmeverdampfer mit Tantal- oder Wolframheizdrähten, Verdampfertiegel aus Aluminiumoxid, PBN oder Quartz. Tiegelvolumen 1 bis 10ml. Für Temperaturen von 100 bis 500oC. Thermoelement Typ K. Tiegel kann von außen betätigt abgedeckt werden. Der Verdampfer ist wassergekühlt. Basisflansch DN40CF, 1 Tiegel.

Mit Tiegeln aus PBN oder Aluminiumoxid, Heizdrähten aus Tantal oder Wolfram, Tiegelvolumen 1 bis 10ml, kann Typ VT Temperaturen größer 1000oC erreichen. Gemessen wird mit Thermoelement Typ K. Basisflansch DN100CF, 1, 2 oder 3 Tiegel.

Für Temperaturen über 1200oC kann für Sie nach Ihren Angaben der Verdampfer Typ VQ gebaut werden. Einsatzgebiet <2*10-11 hPa. Heizdrähte aus Tantal oder Wolfram. Tiegelmaterial PBN. Tiegelgröße 3, 70, 100ml, von außen gesteuert abdeckbar. Thermoelement Typ K oder C. Wassergekühlt.

Für Temperaturen von 200 bis 2300oC bieten wir auf einem DN40CF-Flansch einen Elektronenstrahlverdampfer Typ VE mit folgenden Daten:
- Basisdruck <2*10-11hPa
- typischer Verdampfungsdruck 1-2*10-10hPa
- typische Verdampfungsrate 0,02-3ml/min
- Abstand zwischen Spitze und Flansch 180-300mm nach Ihrer Anforderung.
- Mit Abdeckplatte
- Wassergekühlt
- Spannung 0-2000V
- Strom 0-100mA
- maximale Leistung 200W
- Ausheiztemperatur <200oC
- Mit Steuergerät, Fluxmonitor und Thermoelement.

Typ SM ist kein Verdampfer, sondern ein Kathodenzerstäuber, der durch Beschuss mit energiereichen Ionen Atome aus einem Festkörper herauslöst und in die Gasphase bringt. Das zu zerstäubende beschossene Material wird Target (Zielscheibe) genannt. Der Zerstäuber, meist Sputter genannt, dient in den meisten Fällen der Bildung von Dünnschichten auf Substraten. Wir bieten Sputter auf Flanschen DN40CF , DN63CF, DN100CF für die Targetgrößen 1 bis 5 Zoll für die Zerstäubung an. Die Leistung der Geräte beträgt bis zu 1000 Watt. Der Sputter ist wassergekühlt.

Ausführung z.B.: Abstand zwischen Target und Substrat beträgt 200mm. Material ist Kupfer. Arbeitsdruck beträgt mit Argon 4Pa. Leistung ist 150 Watt. Resultat: Schichtwachstum 12nm/min.